用于晶元的电镀加工方法

发布时间:2020-10-07 17:52:00 点击数:439

  随着终端产品性能的不断提升,智能设备逐渐采用28nm以下的先进制造工艺,随着先进制造工艺从28nm发展到10nm以下,晶圆的针距不断减小,匹配的多层有机衬底的加工精度也越来越高,今天小编将介绍用于晶元的电镀加工方法。


  提出了一种需要在晶圆表面电镀铜的复接层技术,一般来说,将晶片放置在夹具上,夹具由电镀装置夹紧,通过夹紧部将电流传输到夹具,从而电镀晶片,然而,采用这种方式电镀时,晶圆不同部位的电流强度相差很大,导致晶圆电镀后铜的厚度不均匀,严重影响了晶圆的加工质量。

  提供一种晶圆电镀处理方法,其包括以下步骤:在夹具上加工电镀槽,将待加工的晶片材料固定在电镀槽内,将夹具置于电镀液中,使晶片材料置于电镀液中,夹具通电,完成晶圆材料的电镀操作,得到晶圆成品。

  当夹具通电时,电流到达电镀槽时首先通过夹具,槽结构使电流到达槽中的晶片材料时电流更加均匀,使得到达晶片材料各部分的电流相对更均匀,在电镀过程中,晶圆材料各部分的电镀铜也更加均衡,使铜的厚度更加均匀,提高了成品晶圆的加工质量。


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